多晶硅,是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
性 质
灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。
使用说明
为内置锂电充电:采用市电(交流100V--240V)给内置锂电池充电时,指示灯显示为绿红,约6-7个小时左右可以充满,指示灯熄灭表示电池已充满.将太阳能充电器放置于阳光下就可以给内部自带的电池充电了.红灯亮表示正在充电,在阳光下约几小时可以充满.因阳光强弱而异.
为产品充电的使用方法:内置锂电池充满后,就可以给手机,数码相机,MP3,MP4等数码产品充电了. 用充电连线将太阳能充电器与手机或数码相机MP3,MP4等数码产品连接好就可以充电了.充电时,指示灯显示绿色,表明充电正常.
注意事项
内部设有保护电路,当出现过载,短路时保护电路动作,输出就没有电压了,解除保护的方法有二: 1,用市电AC100-240V充电数秒;2 在阳光下晒一下.这样就可以恢复输出了.
污垢对多晶硅影响因素
1、油脂:在多晶硅生产过程中,油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明,整个工艺系统几ppm的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢,产量降低,甚至硅反应停止。因此,多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。
2、水分:水中含有大量的氯离子,氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。
3、氯离子残留:水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此,在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。
4、氧化物、灰尘其他杂质:其他污垢的存在,对多晶硅的生产影响也很大。因此,在设备清洗过程中,采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。
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