检测项目 |
A级 |
B级 |
表面状态 |
1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象. |
1.已清洗,切割表面未腐蚀,无油污,无清洗剂残余3.硅片表面无明显手感刀痕,凹坑现象. |
缺陷 |
无裂痕,裂纹,孔洞V |
无裂痕,裂纹,孔洞V |
边沿状态 |
无崩边,硅落,边缘 |
1.缺口长度<1MM深度<0.5MM崩边缺口在整片中小于2个.
2.沿硅片径向长度小于1MM,宽度小于1MM,不超过硅片厚度1/2的崩边,在整片中不允许超过3个. |
晶向 |
<100>+2。 |
<100>+2。 |
位错密度 |
≦3000/CM2 |
≦3000/CM2 |
线痕 |
<15um |
15um~30um |
导电类型 |
P型 |
P型 |
电阻率 |
1-3ohm*cm |
1-3ohm*cm
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电阻率不均均性 |
<15%
(中心点与四个角上距离两边10MM的四个点) |
<15% |
裸片少子寿命 |
≧1.3us |
≧1.3us |
氧含量 |
<1X1018atoms/cm3 |
<1X1018atoms/cm3 |
碳含量 |
<5X1016atoms/cm3 |
<5X1016atoms/cm3 |
掺杂剂 |
B |
B |
厚度 |
180+20um |
180+20um |
单片厚度变化
TTV |
<单片厚度的15% <30um |
<单片厚度的15%~20% <30um |
翘曲度 |
<30um |
<50um |
硅片边长尺寸 |
156+0.5MM*78+0.5MM |
156+0.5MM*78+1MM |
|