高聚光型砷化镓太阳能发电系统

　　HCPV解决方案说明
 
　　1:追日系统:

　　无论何种系统皆可使用追日系统，使其产出度数提升。

　　以SILICON 而言，加装追日系统，可使每日产出瓦数增加约25%。

　　以GaAs而言，加装追日系统可使每日产出瓦数增加约100%。

　　注：因为单多晶硅效率比较低，相对所需要的支架、配电材料土建及工资都会两倍增加
并且因长时间追日会使硅晶体本身接受更多的紫外线及更高的温度产生，其风险需评估。
另面板面积会更大(同一输出瓦数时)，故其抗风性会较差。

　　2:聚焦:

　　用镜片将太阳光聚焦为500倍，使其使用太阳能芯片面积减少，至原来之500分之一。
但因单多晶硅及薄膜式太阳能芯片材料本身无法承受高聚焦所产生的高温，故无法利用此技术

　　3:高效能芯片:

　　无论是在silicon 材质，或是GaAs材质本身，利用制程及其它磊晶技术，将其光电转换效率提高，

　　以此来增加产出效益。

　　单多晶硅系统与高聚光型比较

　　单多晶硅       高聚光型

　　1:转换效率    14-18%   39%

　　2:工作温度

　　适合在摄氏40度以下超过会有效率损耗现象，恢复常温仍无法恢复效率。超过摄氏65度，将会发生硅芯片永久性损坏 

      适合于摄氏110度以内

　　超过会有效率损耗现象，恢复常温后即可恢复效率

　　3:所需散热技术    因转换效率低，大部分光能转为热能，故需高散热技术

　　4:所需原料    硅原料需求较大，原料资源须注意短缺现象    原料需求低

　　5:单位面积效率    70watt/㎡       147watt/㎡

　　6:地表利用性低(地面土壤无法再行利用)高(地面土壤除水泥基座外，皆可利用)

　　7:日集光时间 4小时/天，以甘肃地区而言       8小时/天，以甘肃地区而言。

　　8:日单位面积发电量    70watt * 4=280watt/day 147w * 8=1,176watt/day