[新品] 硅钼棒(1800型)

硅钼棒元件在空气中使用到800℃时开始氧化，温度达到1000-1300℃时，发热部表面生成一层二氧化硅保护层,1300℃时结晶出方石英，在1500℃时，保护膜达到一定的厚度，从而使元件的氧化速度变得极为缓慢，趋于稳定,如果继续升温至1627℃以上时，保护膜受到破坏，氧化速度显著增加，造成元件过早埙坏。     硅钼棒二硅化钼电热元件化学性质：高温氧化气氛下，表面生成一层致密的石英(SIO2)保护层以防止MOSi2继续氧化，当元件温度大于1700℃，熔点为1710℃的SIO2保护层熔融，由于表面张力的作用，SIO2溶聚成滴，而失去保护作用，元件在氧化气氛下，再继续使用时，SIO2保护层重新生成。