半导体器件动态参数测试系(EN-2020A)_西安易恩电气科技股份有限公司

EN-2020A半导体器件动态参数测试系统

系统概述

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。

基础规格

规格：1800×800×800（mm）

质量：155Kg

环境温度：15～40℃

相对湿度：小于80%

大气压力：86Kpa～ 106Kpa

电网电压：AC220V±10%无严重谐波

电网频率：50Hz±1Hz

参数/条件

	IGBT开通特性测试		IGBT关断特性测试		测试气动夹具
测试参数	开通延迟 tdon	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	关断时间tdoff	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	压力： 5000PA的品牌空压机供气。控温范围： 25℃-200℃ 控温精度： ±1.0℃±1% 器件接触： 20个探针的接触矩阵
	上升时间 tr	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	下降时间tf	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃
	开通能量 Eon	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃	关断能量Eoff	10-1000ns±5%±10ns Tj=25℃和125℃
测试条件	集电极电压Vce	50-3500V±5% 根据用户要求定制	集电极电压Vce	50-3500V±5% 根据用户要求定制
	集电极电流Ice	50-1500V±5% 根据用户要求定制	集电极电流Ice	50-1500V±5% 根据用户要求定制
	负载L	20-1000uH	L负载	20-1000uH
	栅极电压Vge	±15V±3%±0.2V
短路测试Sct		一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA
二极管反向恢复测试Drr		反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt

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