EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
基础规格
规 格:1800×800×800(mm)
质 量:155Kg
环境温度:15~40℃
相对湿度:小于80%
大气压力:86Kpa~ 106Kpa
电网电压:AC220V±10%无严重谐波
电网频率:50Hz±1Hz
参数/条件
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IGBT开通特性测试
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IGBT关断特性测试
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测试气动夹具
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测试参数
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开通延迟 tdon
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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关断时间tdoff
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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压力:
5000PA的品牌空压机供气。
控温范围:
25℃-200℃
控温精度:
±1.0℃±1%
器件接触:
20个探针的接触矩阵
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上升时间
tr
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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下降时间tf
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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开通能量
Eon
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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关断能量Eoff
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10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
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测试条件
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集电极电压Vce
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50-3500V±5%
根据用户要求定制
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集电极电压Vce
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50-3500V±5%
根据用户要求定制
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集电极电流Ice
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50-1500V±5%
根据用户要求定制
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集电极电流Ice
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50-1500V±5%
根据用户要求定制
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负载L
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20-1000uH
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L负载
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20-1000uH
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栅极电压Vge
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±15V±3%±0.2V
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短路测试Sct
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一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA
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二极管反向恢复测试Drr
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反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt
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