ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统
测试参数:
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS、
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-
基础配置:
技术参数
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ENJ2005-B型
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主极电流
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100nA-50A
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扩展电流
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100A、500A、1000A、1200A
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电压分辨率
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1mV
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电流分辨率
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1nA(可扩展至10pA)
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测试精度
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0.2%+2LSB
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测试速度
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0.5mS/参数
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