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[新品] 半导体分立器件器件测试系统(ENJ-2005A/B)

半导体分立器件器件测试系统
供应商参考报价:¥188
  供应商信息
· 西安易恩电气科技有限公司 [陕西省] 加为商业伙伴
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联系人: 陈岗龙
所在城市: 陕西省 西安市
详细地址: 现代企业中心B1座三楼
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详细信息  

ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统


测试参数

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数:BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益参数:hFE、CTR、gFS、

导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

关断参数:VGSOFF      

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH+、IH-

锁定参数:IL、IL+、IL-            

  基础配置:

技术参数

ENJ2005-B型

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、500A、1000A、1200A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

1nA(可扩展至10pA)

测试精度

0.2%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

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