ENJ2005-C 功率器件图示系统
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
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配置
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规格/环境 |
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主极电压
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1mV-2000V |
尺 寸 |
450×570×280（mm） |
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电压分辨率
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1mV |
质 量 |
35kg |
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主极电流
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0.1nA-100A |
工作电压 |
200V-240V |
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扩展电流
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/ |
电源频率 |
47Hz-63Hz |
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电流分辨率
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0.1nA |
工作温度 |
25℃-40℃ |
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测试精度
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0.2%+2LSB |
通信接口 |
RS232 USB |
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测试速度
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0.5mS/参数 |
系统功耗 |
<150w |
测试范围：
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01
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二极管 / DIODE
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02
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晶体管 / NPN型/PNP型
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03
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J型场效应管 / J-FET
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04
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MOS场效应管 / MOS-FET
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05
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双向可控硅 / TRIAC
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06
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可控硅 / SCR
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07
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绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT
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08
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硅触发可控硅 / STS
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09
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达林顿阵列 / DARLINTON
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10
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光电耦合 / OPTO-COUPLER
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11
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继电器 / RELAY
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12
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稳压、齐纳二极管 / ZENER
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13
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三端稳压器 / REGULATOR
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14
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光电开关 / OPTO-SWITCH
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......其它器件共19大类27分类
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供应商参考报价：￥188
太阳能光伏：
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