基本参数/Basic parameters
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功率源/Power source |
阻性/感性开关特性单元
Resistance/Inductance
Switching performance unit
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脉宽/Pulse width:50µs~2000µs、0.1µs步径/Steps 时间分辨率:1ns
栅极驱动/Gate drive:±30V,分辨率0.1V
电阻/Resistance:定制/Commission
漏极电压/Drain voltage:5V~1500V,分辨率1V
电流/current:1.0~300A,分辨率/Resolution:1.0A
电感/Inductance:0.01mH~160mH,分辨率10µH,程控式连续可调
测试参数:开启延迟时间(td(on))、关断延迟时间(td(off))、上升时间(tr)、下降时间(tf)
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栅极电荷单元
Gate charge unit
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栅极驱动电流/Gate drive current:0~200mA,分辨率1.0mA
栅极电压/Gate voltage:±30V,分辨率±0.1V
电流/current:1.0~300A,分辨率/Resolution:1.0A
漏级电压/Drain voltage:5V~1500V,分辨率1V
栅极等效电阻范围/Gate equivalent resistance:0.1~50Ω,可调/Adjustable
测试参数:栅电荷(Qg)、栅源电荷(Qgs)、栅漏电荷(Qgd)、平台电压(Vgp)
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反向恢复特性单元
Reverse recovery charge
test unit
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正向电流(IF):≤300A,分辨率0.1A
反向恢复时间(Trr):10ns~2.0µs,分辨率1ns
反向恢复电流(Irm):≤300A
反向恢复电荷(Qrr):1nC~100µC,分辨率1nC
反向电压(Vr):5V~1500V,step1V
电感/Inductance:0.01mH~160mH,分辨率10µH,程控式连续可调
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短路特性
Short circuit performance
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***大电流/Max current:1000A
栅极驱动/Gate drive:±30V,分辨率 0.1V
脉冲时间/Pulse width:5us~100us
漏极电压/Drain voltage:5V~1500V,Step1V
测试参数/Test parameters:短路电流Isc、短路耐量Esc、短路时间Tsc
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雪崩测试单元
Avalanche test unit
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雪崩耐量/EAS:100J
雪崩击穿电压/Avalanche break down voltage:2500V
雪崩电流/IAS:1.0~400A;分辨率 1.0A
雪崩感性负载范围/Avalanche inductive load range:0.01mH~160mH;分辨率10μH;
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结电容/电阻测试单元
Junction capacitor /resistance test unit
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电流/Current:1.0~300A,分辨率/Resolution:1.0A
电压/Voltage:5V~1500V,分辨率1V
测试扫频范围/Test sweep range:0.1MHz~5MHz
输入电容Cies、输出电容Coe、反向转移电容Cres
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反偏安全工作区单元
Anti-bias SOA unit
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2倍额定电流下,测试关断时电压电流
To test voltage and current of off-state under 2x rated current
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