◆ 概述
KMP C7310系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为I线曝光优化,可广泛应用于0.5μm以上分辨的集成电路制造及相关半导体制造领域。
◆ 产品规格
Viscosity(粘度) |
mPa.s |
9.5±1.0 |
Trace metals(痕量金属离子) |
ppb |
Ca、Cr、Fe≤30; Cu、Ni、K、Na、Pb、Zn≤20 |
Particles(颗粒,≥0.3μm) |
cts/ml |
≤20 |
Water(水分) |
% |
≤0.5 |
◆ 参考工艺条件
Prime(预处理) |
HMDS,100℃,40s |
Soft Bake(前烘) |
90℃,60s |
Exposure(曝光) |
I-line |
Post Exposure Bake(中烘) |
115℃,60s |
Develop(显影) |
23℃,60s,Puddle |
Hard Bake(后烘) |
110℃,60s |