◆ 概述
KMP C5315系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化，可广泛应用于半导体IC制造领域。
◆ 产品规格
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Viscosity（粘度） |
mPa.s |
14.0±1.0 |
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Trace metals（痕量金属离子） |
ppb |
Ca、Cr、Fe≤30； Cu、Ni、K、Na、Pb、Zn≤20 |
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Particles（颗粒，≥0.3μm） |
cts/ml |
≤20 |
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Water（水分） |
% |
≤0.5 |
◆ 参考工艺条件
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Prime（预处理） |
HMDS，100℃，40s |
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Soft Bake（前烘） |
90℃，60s |
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Exposure（曝光） |
I-line，G-line |
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Post Exposure Bake（中烘） |
115℃，60s |
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Develop（显影） |
23℃，60s，Puddle |
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Hard Bake（后烘） |
110℃，60s |
供应商参考报价：面议
太阳能光伏：
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