氧化铟锡靶材(JMZK-1126)

科研实验专用 氧化铟锡靶材ITO磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

      ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。

产品参数

中文名 氧化铟锡        化学式 In2O3-SnO2     

分子量 428.343         熔点 287℃

密度 1.2g/ml             纯度 99.99%

     陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

       我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

       注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

       建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。