IGBT模块（FF150R12KS4）

技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃        150

• Vce(sat),Max(V)        3.7

• Ton(us)               0.11

• Toff(us)               0.55

• Rth(j-c),K/W        0.1

• Pc(W)               1250

• 封装                  62mm

• 电路结构               半桥

性能概要：

•高短路能力

•自我限制短路电流

•低开关损耗

•无可比拟的耐用性

•V CESAT具有正温度系数

•CTI>400

优点：

• 灵活性

• 佳的电气性能

• 高的可靠性

目标应用：

• 电机控制和驱动

• 太阳能系统方案

对于完整的太阳能电力方案的主导产品

• 不间断电源（UPS）

• 商业，农业和工程车辆（CAV）

• 感应加热

• 工业焊接