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平板状氧化铝(WCA09;WCA10;WCA12..)

平板状氧化铝
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片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝

平板状氧化铝抛光粉是以***工业氧化铝粉为原料,采用特殊生产工艺处理,生产出来的氧化铝抛光粉晶体形状呈六角平板状,因而称之为平板状氧化铝或片状氧化铝。

平板状氧化铝的氧化铝纯度99%以上,具有耐热,***腐蚀,硬度高的特点。与传统磨料球形颗粒不同,平板状氧化铝的底面平整,研磨时颗粒贴合工件表面,产生滑动的研磨效果,避免了颗粒尖角对工件表面的划伤,另一方面,平板状氧化铝进行研磨时,研磨压力是均匀分布在颗粒表面,颗粒不易破碎,***性能提高,从而提高了研磨效率和表面光洁度。

 

对于半导体材料如半导体硅片,平板状氧化铝的应用,可以减少磨削时间,大幅提高研磨效率,减少磨片机的损耗,节省人工和磨削***,提高磨削合格率。品质接近国外***。

显像管玻壳磨削工效提高3-5倍;

合格品率提高10-15%,半导体硅片合格品率达到99%以上;

研磨消耗量比普通氧化铝抛光粉减少40-40%;

 

 

平板状氧化铝微粉是以工业氧化铝粉为主要原料,采用特殊矿化剂、高温控制晶粒形状及大小,经特殊处理和严颗粒呈***的平板状结构,硬度高达莫氏九级,磨削力强,不易产生划痕,可得到***、***的被加工表面,有特殊设计的粒度分布,质量和日本FUJIMI公司相当。

 

平板氧化铝研磨抛光微粉的特点(片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝)

1)平板型氧化铝研磨抛光微粉与其它氧化铝研磨抛光微粉的区别是:片状,硬度高,粒度均匀。

2)特点为:

A、形状为平板状,即片状,使磨擦力增大,提高了磨削速度,提高了工效,因此可减少磨片机的数量、人工和磨削时间,如显像管玻壳磨削工效能提高3-5倍;

B、由于形状为平板状,故对于被磨对象(如半导体硅片等)来说不易划伤,合格品率可提高10%至15%,如半导体硅片,其合格品率一般能达到99%以上;

C、由于硬度比普通氧化铝研磨抛光微粉高,故用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要少,如果磨同样数量的产品,其用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要节约40%至50%;

D、与国外同类产品相比,质量达到或超过国外同类产品,品质已达到***,但产品价格只有国外同类产品的50%;

E、由于平板型氧化铝研磨抛光微粉的优良性能,故加工的产品合格品***,质量稳定,生产***只有原来的50%-60%。

3、片状氧化铝是以工业氧化铝为原料,添加复合矿化剂,经过高温煅烧而成。晶体形貌为具有一定厚度的片状备用于以下方面的研磨抛光磨料,平板型氧化铝研磨抛光微粉的用途:

1)电子行业: 单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体的研抛。

2)玻璃行业: 硬质玻璃和显象管玻壳的加工。

3)涂附行业: 特种涂料和等离子喷涂的填充剂。

4)金属和陶瓷加工业。

 

化学成分:(片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝)

Al2O3

≥99.0%

SiO2

<0.2

Fe2O3

<0.1

Na2O

<1

 

物理性能:(片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝)

化学成分

α-Al2O3

颜色

白色

比重

≥3.9g/cm3

莫氏硬度

9.0

 

生产规格:(片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝)

型号

D3(um)

D50(um)

D94(um)

CA40

39-44.6

27.7-31.7

18-20

CA35

35.4-39.8

23.8-27.2

15-17

CA30

28.1-32.3

19.2-22.3

13.4-15.6

CA25

24.4-28.2

16.1-18.7

9.6-11.2

CA20

20.9-24.1

13.1-15.3

8.2-9.8

CA15

14.8-17.2

9.4-11

5.8-6.8

CA12

11.8-13.8

7.6-8.8

4.5-5.3

CA09

8.9-10.5

5.9-6.9

3.3-3.9

CA05

6.6-7.8

4.3-5.1

2.55-3.05

CA03

4.8-5.6

2.8-3.4

1.5-2.1

 
 

产品应用范围:(片状氧化铝7um 8um 平板状氧化铝)

    1)电子行业 : 半导体单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体(砷化镓、磷化铟)的研磨抛光。
    2)玻璃行业 : 水晶,石英玻璃,显象管玻壳屏,光学玻璃,液晶显示器(LCD)玻璃基板,压电石英晶体的研磨加工。
    3)涂附行业 : 特种涂料和等离子喷涂的填充剂。
    4)金属和陶瓷加工业:***陶瓷材料,烧结陶瓷原料,***高温涂料等

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