
应用领域
●电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
●电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
●氮化镓、碳化硅、IGBT 半 / 全桥设备的设计与分析
●高压高带宽测试
●应用的安全隔离测试
●应用的安全隔离测试
●宽电压、宽带测试应用
●各种浮地测试
极高的测试精度
作为判定其他电压探头所测信号真实性的***裁判,测试精度是 SigOFIT 光隔离探头的重要指标。SigOFIT 光隔离探头,具有较佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,全量程范围内1.41mVrms 底噪,预热后零点漂移小于 500μV。
真实的信号呈现
SigOFIT 光隔离探头具有极高的共模抑制比,在 100MHz 时 CMRR 高达 112dB、在 500MHz 时 CMRR 仍然高达 100dB,是 判定其他电压探头所测信号真实性的***裁判。

第三代半导体的理想测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在高带宽时,仍然具有近 100dB 的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。
规格参数
