半导体电子器件综合通用测试仪(F-200A-2K5)

MOS

IGBT

BJT

DIODE

Zener

TVS

LED

Rdson

Vfd

IGSF

IGSR

Vgth

Vdss

Idss

Vcesat

Vfd

IGSF

IGSR

Vgth

Vces

Ices

Vcesat

hFE

BVcbo

Icbo

BVceo

Iceo

   BVebo

    Iebo

Vces

Ices

Vfd

Vr

Vfd

     Vz

Vfd

Vz

Vfd

Vr

RES

OPTO

MOV

RELAY

R

针对大电流小阻值取样电阻

Vfd

Ir

CTR(选配)

Iceo(选配)

Vr(选配)

BVceo(选配)

Veco(选配)

压变电阻Vc(选配)

Rcontact

Rcoil(选配)

V吸合(选配)

V释放(选配)

项目

参数

单位

电流档0~100mA分辨率

0.01

mA

电流档100~1000mA分辨率

0.1

mA

电流档1~10A分辨率

1

mA

电流档10~200A分辨率

10

mA

脉冲电流档位

四

档

档位步进

0.01

%

脉冲宽度

500

us

开路输出电压

≥60

V

正向压降测量范围

0~10

V(100-200A)

正向压降测量范围

0~60

V(≤100A)

栅极输出电压

±30

V

栅极漏电流测试范围

±600nA，±6μA ±60μA

±600μA ±6mA ±60mA

±600mA

栅极漏电流带快速充电功能

有

耐压电压

0~2500

Vdc

耐压电流

0~2μA

0~20μA

0~200μA

0~2000μA

漏电电流一键zero校零技术

漏电分辨率可达100pA

可手动按钮触发，也可脚踏触发功能

有

隔离的RS-485通讯端口

有

RS-485接口升级软件

有

供电电压

220

VAC