HJT异质结电池PECVD设备

•异质结电池低温度系数(-0.3%/℃)，同时适合高纬度与近赤道的全部市场

 

•具有较高的发电量(在高温环境操作下，异质结电池发电量比多晶硅电池的高>7%)。

 

•HJT光照稳定性好，亦"无光致衰减效应" (LID Free)

 

•N型硅芯片在减薄之后具有提升电池光电转换效率的效果，这是P型电池所没有的功效

 

•HJT的设计也具有双面发电选项的亮点，可配合停车场的阳光发电系统应用。

 

•具高性价比(年产量/固定资产)，适合量产投资,高效率与高发电量特性将带来高利润。

 

•掌握异质结电池的量产契机成为国际先进技术品牌公司的机会。

 

 

 

我们已完成PECVD设备镀非晶硅层膜层后的HJT半成品“模拟开路电压“Voc>740mV，加上自有印刷技术与组件封装等后工艺，以保持住高”短路电流Isc”与高“填充因子” (FF%)，很容易达到HJT的电池成品效率大于22%, LCOE综合发电成本***低。