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[新品] 5V2A智能手机电源多功能平板电脑充电器(QC-u0502va-2)

5V2A智能手机电源多功能平板电脑充电器
供应商参考报价:¥6
  供应商信息
· 广州泉橙开关电源适配器有限公司 [广东省] 加为商业伙伴
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联系人: 彭思聪
所在城市: 广东省 广州市
详细地址: 番禺区石基镇莲塘村富怡路3309号
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详细信息  

广州泉橙电源适配厂家本款5V2A充电器5V2000mA电源适配器采用启达科技原边电源控制IC芯片***新款高性能解决方案。

 

本充电适配器 采用双电感设计,滤波效果优良,电流更纯净,使本充电器性价比更高。

采用纯铜高频变压器EE19稳定性更优秀。

大量采用SMD贴片电子元器件(电阻,电容,整流桥,二极管等元器件) 减小体积,降低发热量。

外壳采用ABS+PC合金工程塑料,耐冲击,耐高温,机械性能优良,绝缘性能更加。

插头采用优质磷铜五金件,电气性能更佳,防潮防锈耐腐蚀。

优质防火PCB单面板,全部无铅环保制程工艺,保护环境,复合欧盟RoHS,CE指令。

品牌大厂电子料,品质稳定可靠,让终端消费安全有保证。

泉橙电源适配器工厂本产品电源控制IC芯片厂商简介:成都启臣微电子有限公司位于成都市高新西区创新中心,是Chip-Rail(CR)品牌创立者,是专业从事集成电路及系统产品的设计、生产与销售的***高新技术企业,也是工业和信息化部认证的集成电路设计企业。公司专注于设计、开发和销售高性能模拟及混合信号集成电路产品,以通信、消费电子、计算机等为市场目标,致力成为国内一流的模拟及混合信号集成电路设计公司。

恒压恒流均采用原边控制,无需光耦和TL431

低的启动电流:5uA(Typ)

低的工作电流:2.5mA(Typ)

集成软启动功能

集成前沿消隐电路(LEB)

集成频率抖动以改善EMI特性

集成自适应OCP补偿

集成原边绕组电感补偿

集成输出线压降补偿

VDD 欠压保护(UVLO)、过压保护(OVP)及VDD电压钳位功能

高效节能:

满足能源之星EPS 2.0V级能耗标准。更加节能低碳。

 

本款充电器适配器带有INV分压电阻选取与输出线压降补偿功能:

CR6233通过电阻RUPPER和RLOWER分压器采样辅助绕组去泉橙电源厂磁时间2/3处的电压,并保持到下一个采样周期。采样电压被送到INV脚与基准电压2.0V比较,误差被放大,误差放大器的COMP脚输出电压反映了负载情况,通过控制PWM频率来调节输出电压,达到恒压目的。

当采样电压低于2.0V且Comp达到***大时,开关频率被采样电压控制,通过输出电压去控制输出电流,达到恒流目的。输出线压补偿可获得良好的负载调节,CR6233内部补偿电流IC流向电阻分压器导致INV脚上的电压失调,补偿电流与COMP脚电压成反比(图5),亦即补偿电流与负载电流成反比。因此,输出线损失的电压可以得到补偿。当负载从满载减小到空载,INV脚的失调电压增加,所以通过调整RUPPER和RLOWER阻值,可实现各种输出线压降补偿。

其中:IC典型值为42uA

注意:RUPPER和RLOWER采用精度为1%的标准电阻。

注:1,INV脚到IC的GND***好加1N4148(如图4),钳制MOS导通时INV脚上的负压,以减小此负压对CR6233的干扰。

2,INV脚到IC的GND***好加一个几十pF的电容(一定要控制在100pF内),该电容作用在于平滑INV端采样电压平台波形,使采样电压更精确,以增加输出稳定性。

假负载

在空载或者很轻载时,很低的PWM频率将导致反馈信号的失真和输出电压的上升,应选择恰当的假负载电阻值,以将输出电压控制在***大输出电压规格范围内。由于假负载电阻同时也会增大空载功耗,在允许的情况下,选取其电阻值时要综合考虑空载输入功率及空载输出电压是否满足要求。

对于充电器应用,为满足电池自放电要求,用一个串联电阻和稳压电路替代假负载电阻。不过,在没有此要求的设计中,可以使用一个标准电阻。

变压器初级箝位元件的选择

对于RCD型电路,降低CC1的值并增大RC2的值,同时应将峰值漏极电压保持在<580 V。如果CC1的值较大,则箝位电压(影响反馈绕组采样电压)的稳定时间会更长,从而可能导致更高的输出纹波电压。推荐CC1使用MYLA 电容。1.辅助绕组和次级绕组如图7示,必须密绕且绕满绕平,以获得良好的耦合;

2.初级电感量容差控制在±5%,漏感控制在初级感量的3%;

3.变压器需要真空含浸,磁芯中柱点胶。

此开关电源适配器PCB印制电路板布局概略

对于高频开关的电流/电压,PCB布局是非常重要的设计。好的布局,有助于改善EMI性能和浪涌、ESD测试,为了改善EMI性能和减小线频率纹波,广州泉橙电源适配器工厂的整流器的首先连接到C1,然后连接开关电路。

高频电流路径C1→ 变压器→ MOSFET → R10、R11→ C1,这个环路的面积应尽量的小。

保证布线(尤其4→ 1)宽、短,高压布线如MOSFET、RCD箝位网络都要远离控制电路防止不必要的干扰。对于图中标识3,控制电路中的所有地需要先连接起来,然后再连接到其他电路。

对于图中标识2,变压器辅助绕组、D9、R5、C3的闭环面积要小。

放置C3靠近CR6233的VDD脚,能获得良好的去耦效果。

放置反馈电阻R6,R7//R16靠近CR6233的INV脚,这样可以降低噪声耦合。

放置补偿电容C4靠近CR6233的COMP脚。

次级环路面积要***大程度上降低漏感和EMI,连接次级绕组、输出二极管及输出滤波电容的环路区域面积应***小。此外,泉橙电源本产品与二极管的阴极和阳极连接的铜铂区域面积应足够大,以便用来散热。***好在安静的阴极留有更大的铜铂区域。阳极铺铜区域过大会增加高频辐射EMI。

GND连接方式:3→2→4→1,可以避免Sense信号造成的共模阻抗干扰。

GND连接方式:3 →2→1← 4,有助于ESD测试。

 

泉橙电源在使用了Y电容的设计中,将EMI滤波器的电感放置在连接Y电容输入側的另一側,如图9。Y电容从次级地连接到C2电容的正极,然后到整流桥。如果Y电容连接到初级GND,那么直接连接到C1的负极(GND1)。5是Y电容的***放电设计,有助于ESD。根据安规要求,两***的爬电距离至少应为6毫米。

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