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紫外正性光刻(KMP C7310)
KMP C7310系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为I线曝光优化，可广泛应用于0.5μm以上分辨的集 ...
更新:2014-10-31
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紫外正性光刻(KMP C5315)
KMP C5315系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化，可广泛应用于半导体IC制造 ...
更新:2014-10-31
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紫外正性光刻(KMP C5215)
KMP C5215系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线曝光优化，可广泛应用于半导体IC和LED制造 ...
更新:2014-10-31
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紫外正性光刻(KMP C5308)
KMP C5308系列紫外正性光刻胶具有高感光度、高产出率、高分辨率及良好的工艺宽容度。专为G线、I线曝光优化，可广泛应用于半导体IC制造 ...
更新:2014-10-31
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负胶显影剂
一、用途用于BN系列产品的显影，也适用于其它种类负性光刻胶的显影。二、主要特征无色透明液体，易挥发，能与苯﹑***等混合，不溶 ...
更新:2014-10-31
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负胶去膜剂
一、用途用于去除BN系列产品的胶膜，也可用于其它同类光刻胶膜的去除。二、主要特征红棕色透明液体，能与水﹑醇等溶剂混溶，有腐蚀性。
更新:2014-10-31
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负胶表面处理剂
一、用途用于BN系列产品用SiO2、SiN4、多晶硅、磷、硼等衬底的表面处理。二、主要特征无色透明液体。其作用是将亲水基片表面转化为疏水 ...
更新:2014-10-31
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紫外负性光刻胶(BN303)
BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它微型器件的制作。
更新:2014-10-31
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紫外负性光刻胶(BN308)
BN308系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，主要用于分立器件及其它微型器件的制作。
更新:2014-10-31
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紫外负性光刻胶(BN310)
BN303系列紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的阴图型光致抗蚀剂，具有较高的分辨率，主要用于中小规模集成电路、分立器件及其它 ...
更新:2014-10-31
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负胶稀释剂
一、用途用于BN系列负胶的稀释，也可用于国外同类产品的稀释。二、主要特征无色透明液体，能与醇﹑醚﹑***等溶剂混合，不溶于水， ...
更新:2014-10-31
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负胶漂洗剂
一、用途用于BN系列产品显影后的漂洗，适用于国外同类产品的清洗。二、主要特征无色透明液体，有酯的香味。
更新:2014-10-31
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紫外正型光刻胶
紫外正型光刻胶是一类采用紫外线曝光的酚醛树脂类阳图型抗蚀剂，包括BP-212、BP-218等系列产品。这类产品具有高感度、高分辨率及良好的 ...
更新:2014-10-31
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紫外负型光刻胶
紫外负型光刻胶是一类采用宽谱紫外线曝光的环化橡胶—重氮萘醌类阴图型抗蚀剂，包括BN-301、BN-303、BN-308、BN-310等系列产品。这类产 ...
更新:2014-10-31
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正胶配套试剂
正胶配套试剂主要是与BP系列紫外正型光刻胶配套使用的一类超净高纯试剂，包括正胶表面处理剂、正胶显影剂、正胶去胶剂(去膜剂)、正胶稀 ...
更新:2014-10-31
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负胶配套试剂
负胶配套试剂主要是与BN系列紫外负型光刻胶配套使用的一类超净高纯试剂，包括负胶表面处理剂、负胶显影剂、负胶去胶剂(去膜剂)、负胶剥 ...
更新:2014-10-31
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