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[新品] 纳米氧化铟锡(50nm)
氧化铟锡,纳米ITO,或者掺锡氧化铟,是一种铟(III族)氧化物(In2O3) and锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物,通常质量比为90%In2O3,10%SnO2。它 ...
更新:2024-04-28
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磷化铟晶圆抛光液(JZ-lhy)
为半导体行业/光学行业调配的磷化铟InP抛光液/CMP Slurry组合浆料，适用于磷化铟晶圆的坦化加工。设计满足从研磨到CMP的衬底制造的各个 ...
更新:2023-09-09
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[促销] 纳米铟粉(AM-In-N-01)
纳米铟粉，纯度高，粒度均匀，易分散，表面活性高，可用于半导体、高纯合金以及硅太阳能电池背场铝浆（银浆、铝浆等），抗静电材料等方面。
更新:2024-04-28
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[新品] 纳米氧化铟(In2O3-20nm)
纳米氧化铟(In2O3)粉通过高频等离子体设备制备，产品纯度高，粒径小，颗粒分布窄，表面活性高、易分散，克服了市场上湿化学法制备的颗 ...
更新:2024-04-28
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[促销] 99.99%高纯铟粉(AM-In-G-01)
铟粉因其光渗透性和导电性强,主要用于生产ITO 靶材(用于生产液晶显示器和平板屏幕),这一用途是铟锭的主要消费领域,占全球铟消费量的70%。
更新:2024-04-28
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[促销] 纳米级高纯三氧化二铟(In2O3-50nm)
氧化铟，即三氧化二铟，是一种新的n型透明半导体功能材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,在光电领域、气体传感器 ...
更新:2024-04-28
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硒铟铜（CIS）薄膜太阳能电池
1.具有较高的光吸收率，弱光条件下特性良好。2.生产成本低，能够制成薄膜电池。3.均一的黑色外观，适用于建筑一体化。
更新:2012-07-12
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铟晶体生长炉(Y45)
Y45铟晶体生长炉，利用石墨加热器和难轴拉轴（直拉法）。，专业越来越铟单晶硅半导体应用。
更新:2013-11-28
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铜铟镓硒太阳能电池板(CIGS)
衬底为覆有Mo层的钠钙玻璃，一般采用直流磁控溅射法沉积Mo钼作为支持层。而CIGS薄膜的生长则采用三步共蒸发。再采用水浴法沉积CdS薄膜 ...
更新:2019-01-01
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金属铟靶材(In500806)
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均 ...
更新:2020-09-24
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高纯铟
铟是一种金属元素，英文名称：Indium，元素符号In，属于IIIA族金属元素，原子序数：49，相对原子质量：114.8，熔点156.61℃，沸点2060℃ ...
更新:2022-08-08
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[新品] 铟箔(SNYB-100In)
外观为银白色薄片，可定制尺寸主要用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域
更新:2022-03-04
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氧化铟锡靶材(JMZK-1126)
氧化铟锡用途与合成方法特性氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将 ...
更新:2020-11-25
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[促销] 铜铟镓硒（CIGS）太阳能生产线交钥匙工(系列)
Complete manufacturing machines for CIGS thin film solar cell (Turn-Key Project)During the past years our company made much te ...
更新:2018-02-07
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铝锌铟系合金牺牲阳极
主要用途： -铝锌铟系合金牺牲阳极适于海水介质中的船舶、机械设备、压载水舱、储罐内壁、滨海设施、海底管道、码头钢桩、海洋平台、电 ...
更新:2017-07-05
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高纯铟 5N 6N 7N
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、高纯合金、超低温冷却、晶体管基极以及锗、硅单晶的掺杂剂、铟封、ITO、核辐射安全监控、电接触元件、 ...
更新:2014-10-14
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高纯氧化铟(1312-43-2)
氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得 ...
更新:2021-03-22
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