来源:电源网 更新时间:2017-04-21 18:56:38 [我要投稿] |
美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley)的研究人员展示采用兼容Si-CMOS光学微影制程的三五(III-V)族纳米柱LED设计,同时还能控制这些纳米LED的精确生长位置——这是在CMOS电路中有效整合光子,从而实现快速芯片上光互连的关键元素。研究人员在《ACS Photoni ...[查看原文] |
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