来源:OFweek激光网 更新时间:2018-04-11 18:28:57 [我要投稿] |
于无机III-V半导体(例如GaN)的Micro-LED(μLED)可用于制造电效率、亮度、像素密度、使用寿命和应用范围远超现有技术的显示屏,前景可观。然而,要实现从当前LED器件(约200μm)到μLED(约20μm)的过渡,必须有技术创新的支撑,尤其是实现μLED显 ...[查看原文] |
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