FAU发现碳化硅晶体管中的缺陷电力电子器件有望变得更节能！
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来源：IntelligentThings 更新时间：2019-01-14 18:17:27 [我要投稿] |
| 今天，要重点关注的是第三代半导体材料：碳化硅（SiC）。近日，德国埃尔朗根-纽伦堡大学（FAU）的研究人员开发出一种简单精确的方法，它可用于发现最新一代碳化硅晶体管中的缺陷。未来，这种方法将有利于加速开发更节能的晶体管。他们将这项成果发表在知名期刊《通 ...[查看原文] |
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