来源:中国科学报 更新时间:2019-10-08 18:37:52 [我要投稿] |
北京高压科学研究中心的研究人员与中美科学家合作利用压缩晶格诱发拓扑相变,在室温下将铬掺杂的铅硒体系的热电优值提高到1.7,远高于此前普遍认可的室温最高值。这一发现不仅提供了一种提高热电优值的新方法,也为未来热电材料在室温下的技术应用,特别是解决手机 ...[查看原文] |
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