日本研发制造高质量氮化镓晶体的新方法 可用于下一代功率半导体设备
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来源:盖世汽车 更新时间:2020-12-25 15:11:03 [我要投稿] |
氮化镓(GaN)晶体是一种很有发展前景的材料,可用于研发下一代功率半导体设备。据外媒报道,日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。与直 ...[查看原文] |
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