纳米尺寸垂直晶体管亮相 或解半导体器件性能提升难题
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来源:科技日报 更新时间:2021-05-13 09:04:43 [我要投稿] |
记者5月7日从湖南大学获悉,刘渊教授团队使用范德华金属集成法,成功展示了超短沟道垂直场效应晶体管,其有效沟道长度最短可小于1纳米。这项微观世界的创新,为后摩尔时代半导体器件性能提升增添了希望。日前,这一研究成果已发表在《自然·电子学》上。从21 ...[查看原文] |
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