来源:中国科学报 更新时间:2024-03-28 11:15:43 [我要投稿] |
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣合作,利用上海微技术工业研究院标准180纳米硅光工艺在八英寸绝缘体上硅(SOI)上制备了硅光芯片,再基于离子刀异质集成技术,通过直接键合的方式实现铌酸锂(LN)与SOI晶圆的异质集成,并通过干法刻蚀 ...[查看原文] |
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