|
来源：中国科学报 更新时间：2024-04-22 11:08:00 [我要投稿] |
| 近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率、稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域20余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体技术的发展。相关成果在线发表于《自然》。2004年，基于非晶N型（电子）铟镓锌合金氧化物薄膜晶体管 ...[查看原文] |
索引页声明：
本页面仅提供原文索引，请点击原文链接查看详细内容。
如链接失效请联系：0571-28068180,28068199,28068187，我们将在第一时间处理。 |
|
太阳能光伏：