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来源：中国科学报 更新时间：2024-10-15 13:52:34 [我要投稿] |
| 中国科学技术大学教授龙世兵和特任研究员高南团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发出具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示了其在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果近期发表于《纳米快报》，并被选为封面论文。后摩尔时代硅基器件的 ...[查看原文] |
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