科学家将二氧化硅缺陷“变废为宝”，打造新型非易失性存储器，数据存储时间长达10年以上
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来源：DeepTech深科技 更新时间：2024-11-29 16:05:52 [我要投稿] |
| 研究人员利用二氧化硅中的边界陷阱来捕获和释放 β-氧化镓中的光生空穴，借此显著提高了数据存储时间，让数据存储的时间长度甚至超过 10 年，因此这是非易失性存储器领域中的一个重大里程碑。对于山东理工大学张永晖博士和团队的新论文，审稿意见给出如上评价。 ...[查看原文] |
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