还原扩散法制备镍锰镓磁性记忆合金 |
申请号/专利号: |
200810223600.9 |
申 请 日: |
2008.09.27 |
名 称: |
还原扩散法制备镍锰镓磁性记忆合金 |
公开(公告)号: |
CN101684526 |
公开(公告)日: |
2010.03.31 |
主分类号: |
C22C1/00(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
C22C1/00(2006.01)I;B22F9/00(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
宁波科宁达工业有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 *相关专利 |
地 址: |
315803浙江省宁波市北仓区科苑路18号 |
发明(设计)人: |
鲍志林 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
北京乾诚五洲知识产权代理有限责任公司 |
代 理 人: |
付晓青;杨玉荣 |
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专利描述: |
本发明涉及具有磁诱导高应变和形状记忆效应的镍锰镓磁性记忆合金的制备方法,该方法采用金属钙和碱金属氯化物或碱土金属氯化物作还原剂,直接由金属镍、金属锰和氧化镓通过还原扩散法在真空电阻炉中直接制备镍锰镓磁性记忆合金。与现有相关技术相比较, 本发明的方法无环境污染、工艺简单、成本低的特点,直接获得具有 磁诱导高应变和形状记忆效应的镍锰镓磁性记忆合金,可用于工业化批量生产。 |
标签:记忆合金 镍锰镓磁性记忆合金 磁诱导 |
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