一种具有集成电路的发光器件及其制造方法 |
申请号/专利号: |
201010581643.1 |
申 请 日: |
2010.12.09 |
名 称: |
一种具有集成电路的发光器件及其制造方法 |
公开(公告)号: |
CN102104037A |
公开(公告)日: |
2011.06.22 |
主分类号: |
H01L25/16(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L25/16(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
511458 广东省广州市南沙区南沙资讯科技园软件楼南101 |
发明(设计)人: |
周玉刚;肖国伟;赖燃兴;曾照明;王瑞珍;姜志荣;许朝军 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
广州新诺专利商标事务所有限公司 441 |
代 理 人: |
罗毅萍 |
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专利描述: |
本发明涉及一种具有集成电路的发光器件,包括LED芯片和衬底。该LED芯片其具有P电极和N电极。该衬底上设置有集成电路、第一金属电极层、第二金属电极层和电极层连接部。该集成电路设置在该衬底的下表面,该第一金属电极层覆盖在该衬底的上表面,该第二金属电极层覆盖在该衬底的下表面并与集成电路连接,该电极层连接部贯穿该衬底上表面和下表面连接该第一电极层和第二电极层。该LED芯片倒装在该衬底上,LED芯片的P电极和N电极分别与该衬底上的第一金属电极层连接。本发明的具有集成电路的发光器件可避免光电寄生效应,具有较高稳定性。 |
标签:晶科电子 LED芯片 集成电路 发光器件 |
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