直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法 |
| 申请号/专利号： |
200610155648.1 |
申 请 日： |
2006.12.30 |
| 名 称： |
直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法 |
| 公开(公告)号： |
CN101016155 |
公开(公告)日： |
2007.08.15 |
| 主分类号： |
C01B33/037(2006.01) |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C01B33/037(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
314117浙江省嘉善县姚庄镇工业园区宝群路8号 |
| 发明(设计)人： |
吴云才;刘磊磊 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 |
代 理 人： |
徐关寿 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本发明属于硅料回收处理技术领域，特别涉及直拉法生长硅单晶产生的锅 底料的除杂方法，①将锅底硅料破碎至粒径为3～12mm的颗料状；②调配除杂 溶液：氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7～9的比例混合置入耐酸槽中；③硅 粒用耐酸篮盛放，沉浸入耐酸槽中，搅拌硅粒；④硅粒在耐酸槽的除杂溶液中 浸泡1～2小时，从耐酸槽中移走；⑤用水冲洗耐酸篮内的硅粒，待冲洗液pH＝7， 烘干硅粒。本发明利用物理方法结合化学方法，将锅底料中杂质富积区腐蚀而 去除，得到符合太阳能级技术要求的硅料，使硅原料增加一条非常重要的来源。 |
| 标签：昱辉阳光 底料除杂 |
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