异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺 |
| 申请号/专利号： |
201110405313.1 |
申 请 日： |
2011.12.08 |
| 名 称： |
异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺 |
| 公开(公告)号： |
CN102437243A |
公开(公告)日： |
2012.05.02 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人： |
王旺平 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
常州市维益专利事务所 32211 |
代 理 人： |
王凌霄 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺，它在N型晶硅衬底的上表面和下表面均沉积P型非晶硅层形成异质P-N结结构，在下表面的异质P-N结结构上制作掩膜，进行选择性刻蚀，形成隔离的异质P-N结构结构，然后去除掩膜层在下表面继续沉积绝缘薄膜层，然后在绝缘薄膜层上制作掩膜，进行第二次选择性刻蚀，使得N型晶硅衬底下表面的异质P-N结结构的侧面和背面均被该绝缘薄膜层包围，形成浮动结背钝化结构，N型非晶硅背电极和P型非晶硅浮动结背钝化结构由绝缘薄膜层实现严格分离。相比三洋的HIT标准工艺和结构，本发明在N型晶硅背面引入了浮动P-N结背钝化结构，因而具有更低的表面复合速率，开路电压也更好。 |
| 标签：天合光能 太阳能电池 HIT太阳能 |
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