氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用 |
| 申请号/专利号： |
200410091156.1 |
申 请 日： |
2004.11.22 |
| 名 称： |
氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用 |
| 公开(公告)号： |
CN1779569 |
公开(公告)日： |
2006.05.31 |
| 主分类号： |
G03F7/039(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
G03F7/039(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
101113北京市通州区工业开发区广通街18号 |
| 发明(设计)人： |
罗杰·森特;陈 昕;黄志齐;郑金红 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
北京金富邦专利事务所有限责任公司 |
代 理 人： |
孙伯庆;揭玉斌 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及到单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、尤其是ArF光源的光刻 工艺光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物包括共聚物和三聚物，具体可用化学 结构式1表示。 其中氟代环烯烃单体中的R1可以是氢原子或本文所定义的酸不稳定悬挂基团，R2为 C1～C10的烷基、卤素或三氟甲基。 所述结构式1的共聚单体中的R3为卤素、氢原子或烷基，R4、R5、R6为说明书所定义的 叔脂环基团。 |
| 标签：光刻胶 科华微电子 |
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