一种太阳能电池薄膜的生长方法 |
| 申请号/专利号： |
201010620327.0 |
申 请 日： |
2010.12.31 |
| 名 称： |
一种太阳能电池薄膜的生长方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102154708A |
公开(公告)日： |
2011.08.17 |
| 主分类号： |
C30B33/00(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C30B33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人： |
刘亚锋 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
常州市维益专利事务所 32211 |
代 理 人： |
王凌霄 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是一种薄膜的生长方法，主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入氧化炉进行氧化工艺，对氧化膜进行退火处理，然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快，质量高，钝化性能优越；硅片在低温下进出炉管，氧化膜应力小，缺陷少；本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行，产量高。 |
| 标签：天合光能 太阳能电池 薄膜电池 晶硅片 |
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