一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法 |
申请号/专利号: |
201310277171.4 |
申 请 日: |
2013-07-03 |
名 称: |
一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法 |
公开(公告)号: |
103309160A |
公开(公告)日: |
2013-09-18 |
主分类号: |
G03F7/038(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
G03F7/038(2006.01)I G03F7/00(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
101312 北京市顺义区竺园路4号(天竺综合保税区) |
发明(设计)人: |
孙嘉 陈昕 罗杰·森特 李冰 刁翠梅 李海波 韩现涛 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙 |
代 理 人: |
谢亮 赵德兰 |
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想以后再联系,请 |
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专利描述: |
本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法,该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料,光致产酸剂是在光照时能够产生一定强度的酸,交联剂能够与酚羟基或邻/对位羟甲基官能团发生缩和反应。在所述新型负性化学放大光刻胶成像方法中包括涂布、烘烤、曝光、烘烤和显影等步骤。本发明所述的化学放大负性光刻胶,可以有效提高光刻胶的分辨率及感光速度,同时与正性光刻胶所用的试剂相同,适用于高档集成电路、平板显示及半导体照明芯片制造等领域。 |
标签:科华微电子 光刻胶 |
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