超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉 |
| 申请号/专利号： |
201610913534.2 |
申 请 日： |
2016-10-20 |
| 名 称： |
超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉 |
| 公开(公告)号： |
106435259A |
公开(公告)日： |
2017-02-22 |
| 主分类号： |
C22C9/06(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C22C9/06(2006.01)I B22F1/00(2006.01)I B22F9/12(2006.01)I H01B1/02(2006.01)I H01C7/00(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
223800 江苏省宿迁市高新技术开发区江山大道23号 |
| 发明(设计)人： |
谢上川 陈钢强 宋书清 高书娟 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 一种超低阻值晶片电阻器用铜镍系合金粉，其特征在于：该合金粉由以下组分组成：Ni 35‑45wt％，Mn＜1wt％，Fe＜1wt％，余量为Cu。本发明的铜镍系合金粉，粒径较为均匀，平均粒径为0.3‑3μm，经过进一步筛分和高精度气相分级，可以调控粉体的粒度分布，可促进低晶片电阻器厚膜印刷制程的升级，并向薄膜蒸镀工艺的厚度靠近，从而改善超低阻值晶片电阻器电性能。 |
| 标签：博迁新材料 合金粉 |
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