一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法 |
申请号/专利号: |
201310574857.X |
申 请 日: |
2013-11-15 |
名 称: |
一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法 |
公开(公告)号: |
103618028A |
公开(公告)日: |
2014-03-05 |
主分类号: |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L31/18(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |
发明(设计)人: |
黄海冰 王丽春 赵彦 吕俊 赵建华 王艾华 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32 |
代 理 人: |
陈建和 |
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想以后再联系,请 |
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专利描述: |
本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法,步骤1)离子注入掺杂;2)离子注入掺杂后,将硅片放置到快速热退火炉管中后,将硅片的温度从600-700℃以较快的升温速度迅速升至950-1150℃之间的某个温度点,同时在惰性气体气氛下进行快速退火,在此过程中来完成离子注入损失层的修复;3)在1000-1150℃温度、氮气气氛下继续进行高温退火,时间10-100秒钟左右,继续完成离子注入损失层的修复,同时也进行掺杂的激活和再分布;4)在1000-1150℃温度氧化、氧气气氛下或者掺氯氧化继续进行高温在线氧化退火。同时提出快速热氧化退火设备系统。 |
标签:中电电气 晶体硅 太阳能电池 |
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