高介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 |
申请号/专利号: |
201310746333.4 |
申 请 日: |
2013-12-30 |
名 称: |
高介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 |
公开(公告)号: |
103724624A |
公开(公告)日: |
2014-04-16 |
主分类号: |
C08G73/10(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
C08G73/10(2006.01)I C08J5/18(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
518118 广东省深圳市坪山新区大工业区兰景北路惠程科技园 |
发明(设计)人: |
侯豪情 吕晓义 何平 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
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代 理 人: |
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专利描述: |
本发明提供一种聚酰亚胺薄膜,它是由式(I)所示结构的聚酰胺酸形成聚酰胺酸薄膜后,经亚胺化得到的高介电常数的聚酰亚胺薄膜;其结构如下式(III)所示:其中,R1是含芳环的二酐残基;R2是含芳环的二胺残基;Pn是聚苯胺的链段结构;n是聚合物重复单元数,在100至500之间。本发明的聚酰亚胺薄膜具有高介电常数、低介电损耗、耐高温、高强度、高化学稳定性,适合用作高储能的电子器件的介电层。同时本发明的一些柔性聚酰亚胺材料,表现出良好的电致伸缩性能,能够很好地实现电能和机械能的转换。本发明所述的高介电常数的聚酰亚胺薄膜在电子、电机、电能输送行业以及机电能量转换技术领域中都将得到广泛的应用。 |
标签:惠程电气 聚酰亚胺薄膜 |
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