| 专利描述：本发明提供新型发光二极管(LED)封装结构，以硅片衬底直接作为LED 芯片的整个结构支撑的表面贴装支架和散热通道，硅片衬底的正面设置有正面 电极连接层，正面电极连接层从硅片衬底的正面通过硅槽侧壁引线或者硅片 ... |
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| 一种使用交流电的发光器件及其制造方法 |
专利号：201010190052.1 |
| 申请人/专利权人：晶科电子(广州)有限公司 |
发明设计人：周玉刚;曾照明;赖燃兴;姜志荣;许朝军;王瑞珍;肖国伟 |
| 专利描述：本发明涉及一种使用交流电的发光器件，包括至少一LED芯片和交流驱动电路芯片，交流驱动电路芯片包括一衬底和集成在衬底上的整流电路。LED芯片倒装在交流驱动电路芯片的衬底上，并与整流电路电连接，交流驱动电路 ... |
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| 专利描述：本发明涉及一种提高LED外量子效率的封装结构及其制造方法。该封装结构包括：支架反射杯、LED芯片以及封装胶。LED芯片设置在支架反射杯底部中间的上方并通过封装胶封装。此外，还包括一具有凸起或内凹的阵列结构 ... |
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| 凸点发光二极管及其制造方法 |
专利号：200710029219.4 |
| 申请人/专利权人：晶科电子（广州）有限公司 |
发明设计人：罗珮璁;姜志荣;陈海英;肖国伟;陈正豪 |
| 专利描述：本发明凸点发光二极管，凸点发光二极管芯片的电极上镀制凸点下金属， 凸点下金属上部生长金属凸点；发光二极管芯片上方除电极以外的表面生长有 钝化层；封装支架上制作有焊垫；凸点发光二极管的金属凸点倒装焊接 ... |
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| 专利描述：本发明直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法，在支架内，单一芯片 或者多芯片是通过金属凸点直接倒装于支架上。本发明省略了芯片固晶，金线 键合的步骤，从而降低了制造成本，提高了制造的效率；降低了热阻， ... |
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| 专利描述：本发明屈于LED技术领域，具体公开了一种LED器件和晶圆级LED器件以及二者的封装结构。本发明将反射层置于LED芯片的上表面，通过ACF将LED芯片倒装在基板上，提高了封装的可靠性，有效防止了ACF对光的吸收与散射， ... |
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| 一种无金线的LED器件 |
专利号：201110211474.7 |
| 申请人/专利权人： 晶科电子(广州)有限公司 |
发明设计人：万垂铭;陈海英;周玉刚;肖国伟 |
| 专利描述：本发明公开了一种无金线的LED器件，将LED芯片倒装在基板上，通过基板上的通孔将LED芯片的P极和N极引至基板下表面的第二金属电极层，同时在下表面设有散热金属焊盘，实现LED器件的热电通道分离的目的，极大的增强 ... |
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| 专利描述：一种高可靠性的发光二极管及其制造方法，包括LED芯片，叠层凸点和基板，该叠层凸点包括层叠设置的至少第一凸点和第二凸点，该第一凸点设置在该LED芯片的P极和N极的表面或者设置在该基板的表面，该第二凸点设置在 ... |
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| 一种垂直结构的发光器件及其制造方法 |
专利号：201110150330.5 |
| 申请人/专利权人： 晶科电子（广州）有限公司 |
发明设计人：曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 |
| 专利描述：一种垂直结构的发光器件，包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面 ... |
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| 专利描述：一种白光LED器件，包括一LED芯片模块、一基板以及一荧光胶。该LED芯片模块包括层叠设置的至少一第一LED芯片和至少一第二LED芯片，以及设置在该第一LED芯片和第二LED芯片之间一半透反射层，该半透反射层直接透射 ... |
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太阳能光伏：