非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法 |
| 申请号/专利号： |
200710073240.4 |
申 请 日： |
2007.02.08 |
| 名 称： |
非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法 |
| 公开(公告)号： |
CN101017863 |
公开(公告)日： |
2007.08.15 |
| 主分类号： |
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分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
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| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
广东省深圳市侨城东路博林贡院1栋2504 |
| 发明(设计)人： |
陈五奎;雷晓全 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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| 专利描述： |
| 本发明公开了一种非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法，处理过程依次为：(1)将玻璃基片的正电极膜层进行第一次激光刻槽，然后(2)采用化学气相沉积法沉积非晶硅膜层，形成非晶硅太阳能电池的PN节，再(3)采用磁控溅射或蒸发方法，在过程(2)的非晶硅膜层上沉积厚度为1500A°～4000A°铝膜层，得负电极膜层，最后(4)将玻璃基片的负电极膜层、非晶硅膜层和正电极膜层进行第二次激光刻槽，此刻槽与第一次激光刻槽错位排列，解决了太阳能电池的正负电极问题，具有工艺简单、操作简便和产品质量稳定等优点，提高了非晶硅太阳能电池的耐候性和使用寿命，广泛适用于太阳能行业。 |
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太阳能光伏：