一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
| 申请号/专利号： |
201120135039.6 |
申 请 日： |
2011.04.30 |
| 名 称： |
一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
| 公开(公告)号： |
202076273U |
公开(公告)日： |
2011.12.14 |
| 主分类号： |
H01L31/0224(2006.01) |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人： |
杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
常州市维益专利事务所 |
代 理 人： |
王凌霄 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构，本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆，在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。在电池IV测试时，由于每条主栅线通常有6到8个触点，使得电流路径相对较短，因此主栅线串联电阻的变化对电池测试影响较小，也不影响分档。另外焊接在主栅线上导电性能优异的焊带可以减少电阻损耗，使得组件输出功率不受影响。故本设计方案可在不影响电池IV测试分档的前提下，大大减少银浆的使用量，节约成本，提高产品的竞争力。 |
| 标签：晶体硅 太阳能电池 太阳电池主栅结构 |
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