一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
申请号/专利号: |
201120135039.6 |
申 请 日: |
2011.04.30 |
名 称: |
一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
公开(公告)号: |
202076273U |
公开(公告)日: |
2011.12.14 |
主分类号: |
H01L31/0224(2006.01) |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L31/0224(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
发明(设计)人: |
杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
常州市维益专利事务所 |
代 理 人: |
王凌霄 |
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想以后再联系,请 |
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专利描述: |
本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域,特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构,本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆,在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。在电池IV测试时,由于每条主栅线通常有6到8个触点,使得电流路径相对较短,因此主栅线串联电阻的变化对电池测试影响较小,也不影响分档。另外焊接在主栅线上导电性能优异的焊带可以减少电阻损耗,使得组件输出功率不受影响。故本设计方案可在不影响电池IV测试分档的前提下,大大减少银浆的使用量,节约成本,提高产品的竞争力。 |
标签:晶体硅 太阳能电池 太阳电池主栅结构 |
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