非晶相陶瓷涂层坩埚及制备方法 |
申请号/专利号: |
201110185256.0 |
申 请 日: |
2011.07.04 |
名 称: |
非晶相陶瓷涂层坩埚及制备方法 |
公开(公告)号: |
CN102312185A |
公开(公告)日: |
2012.01.11 |
主分类号: |
C23C4/10(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
C23C4/10(2006.01)I;C23C4/12(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
发明(设计)人: |
付少永;张驰;熊震;黄振飞 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
常州市维益专利事务所 32211 |
代 理 人: |
王凌霄 |
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专利描述: |
本发明涉及一种非晶相陶瓷涂层坩埚及制备方法。在该坩埚的内壁具有非晶陶瓷薄膜。其制备方法为:a、高熔点陶瓷粉体喷雾造粒,粒径控制在15-60μm,微观形貌为球形或椭球形;b、热喷涂制备非晶涂层。本发明的有益效果是:采用高熔点粉体通过热喷涂制备的非晶态致密薄膜,其气孔率小于5%,薄膜厚度大于50μm,X射线衍射不能观察到明显衍射峰。电子探针显示氮元素原子比例大于40%。 |
标签:天合光能 非晶 |
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