铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法 |
| 申请号/专利号： |
201210041886.5 |
申 请 日： |
2012.02.23 |
| 名 称： |
铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102593251A |
公开(公告)日： |
2012.07.18 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人： |
姜猛;茅永俊;张臻;张晓青 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
常州市维益专利事务所 32211 |
代 理 人： |
王凌霄 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法，该方法为：除了接线盒和引出线，太阳能组件的其他部分用铝箔包裹严实，将直流恒压源与太阳能组件的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V-1500V之间，对于N型太阳能电池组件，直流恒压源的负极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的正极与铝箔连接；对于P型太阳能电池组件，直流恒压源的正极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的负极与铝箔连接。本发明的有益效果是：通过在太阳能组件表面紧密包裹一层铝箔，增加了组件表面导电性能并形成均匀等势体，可以加快恢复已产生极化现象组件，与常规恢复法相比，可加快提高40％左右的速率。 |
| 标签：天合光能 晶体硅极化组件 太阳能组件 |
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