高方阻太阳能电池制作方法 |
| 申请号/专利号： |
201210110916.3 |
申 请 日： |
2012.04.16 |
| 名 称： |
高方阻太阳能电池制作方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102629643A |
公开(公告)日： |
2012.08.08 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
215542 江苏省常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号 |
| 发明(设计)人： |
钱峰;陆俊宇;任军林;汪燕玲;魏青竹 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及一种高方阻太阳能电池制作方法，特点是包括以下步骤：首先，通过预扩散处理，在硅片表面制作发射结。接着，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗。之后，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加，在硅片表面形成二氧化硅层。然后，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜。最后，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。由此，利用二次高温推进发射结工序制作高方阻太阳电池，结表面掺杂浓度降低。同时在硅片表面形成适当的二氧化硅膜，该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层，提高电池表面钝化性能。 |
| 标签：腾晖光伏 太阳能电池 高方阻 |
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