高速沉积制造薄膜太阳电池的方法 |
申请号/专利号: |
201110220265.9 |
申 请 日: |
2011.08.03 |
名 称: |
高速沉积制造薄膜太阳电池的方法 |
公开(公告)号: |
CN102280527A |
公开(公告)日: |
2011.12.14 |
主分类号: |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L31/18(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
157000 黑龙江省牡丹江市阳明区裕民路南莲花北路东对俄贸易加工园区 |
发明(设计)人: |
李兆廷;李鹏;王恩忠;林宏达;甄雁卉 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
牡丹江市丹江专利事务所 23205 |
代 理 人: |
董连书 |
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专利描述: |
本发明涉及高速沉积制造薄膜太阳电池的方法。使用本方法可以快速、高效、低成本制造的薄膜太阳电池,在沉积薄膜电池层时加入辅助气体Ar,有利于气体起辉,达到降低第一起辉电压、功率,降低第二起辉后正常沉积功率的目的,Ar离子还可以起辅助作用达到沉积速率的提升,可由一般的沉积速率2?/s提升到2.5?/s~3?/s,大大提升了薄膜太阳电池生产产能。其次,由于Ar的辅助,在正常沉积薄膜时可以大大降低高频电源的功率,功率密度由一般的0.3W/cm2降低为0.15W/cm2~0.25W/cm2。从而达到了提升产能、降低生产成本的目的。 |
标签:旭阳太阳能 太阳电池 薄膜 |
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