一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法 |
申请号/专利号: |
201110067243.3 |
申 请 日: |
2011.03.21 |
名 称: |
一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法 |
公开(公告)号: |
CN102169925A |
公开(公告)日: |
2011.08.31 |
主分类号: |
H01L31/20(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L31/20(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
157000 黑龙江省牡丹江市阳明区裕民路南、莲花北路东对俄贸易加工园区 |
发明(设计)人: |
李兆庭;李鹏;林宏达;王恩忠;薛泳波 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
牡丹江市丹江专利事务所 23205 |
代 理 人: |
张雨红 |
想进一步了解专利详情,请 |
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想以后再联系,请 |
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专利描述: |
一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法涉及半导体技术领域。该方法在TCO玻璃(即透明导电氧化物镀膜玻璃)上沉积p-i-n层的过程中,通过改变沉积气体的流量比,在p层和i层之间形成一层方波状的缓冲层,在提高开路电压的同时,实现了p层和i层之间更好的过渡,防止了p层中的硼原子向i层中扩散而导致电池效率下降。 |
标签:旭阳太阳能 非晶硅薄膜 太阳能电池 |
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