一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法 |
| 申请号/专利号： |
201110067243.3 |
申 请 日： |
2011.03.21 |
| 名 称： |
一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102169925A |
公开(公告)日： |
2011.08.31 |
| 主分类号： |
H01L31/20(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/20(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
157000 黑龙江省牡丹江市阳明区裕民路南、莲花北路东对俄贸易加工园区 |
| 发明(设计)人： |
李兆庭;李鹏;林宏达;王恩忠;薛泳波 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
牡丹江市丹江专利事务所 23205 |
代 理 人： |
张雨红 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 一种非晶硅薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法涉及半导体技术领域。该方法在TCO玻璃（即透明导电氧化物镀膜玻璃）上沉积p-i-n层的过程中，通过改变沉积气体的流量比，在p层和i层之间形成一层方波状的缓冲层，在提高开路电压的同时，实现了p层和i层之间更好的过渡，防止了p层中的硼原子向i层中扩散而导致电池效率下降。 |
| 标签：旭阳太阳能 非晶硅薄膜 太阳能电池 |
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