具有n层保护窗口层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法 |
| 申请号/专利号： |
201110067010.3 |
申 请 日： |
2011.03.21 |
| 名 称： |
具有n层保护窗口层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102148294A |
公开(公告)日： |
2011.08.10 |
| 主分类号： |
H01L31/20(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/20(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
157000 黑龙江省牡丹江市阳明区裕民路南莲花北路东对俄贸易加工园区 |
| 发明(设计)人： |
李兆廷;李鹏;林宏达;王恩忠;薛泳波 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
牡丹江市丹江专利事务所 23205 |
代 理 人： |
张雨红 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及太阳能电池，具体涉及一种具有n层保护层的非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法。它是在衬底基板上依次沉积完p层、i层和n层以后，通过喷淋水气，在n层表面形成一层SiO2窗口层。用本发明的方法制备的非晶硅薄膜太阳能电池在非晶n层之后制备了一层SiO2窗口层，起到防止在磁控溅射背电极的时候由于溅射作用而对n层薄膜造成损害、进而导致太阳电池电子收集能力的下降。所制备的非晶硅薄膜太阳能电池的电子收集能力和转换效率更高，同时也可以使n层和背电极层之间更好的过渡。 |
| 标签：旭阳太阳能 非晶硅薄膜 太阳能电池 |
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