一种叠层太阳能电池及其制造方法 |
| 申请号/专利号： |
200910158205.1 |
申 请 日： |
2009.07.21 |
| 名 称： |
一种叠层太阳能电池及其制造方法 |
| 公开(公告)号： |
CN101964368A |
公开(公告)日： |
2011.02.02 |
| 主分类号： |
H01L31/042(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
518116 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙平西路鹏利泰工业区C栋二、三楼 |
| 发明(设计)人： |
吴文基;郑泽文;刘丽娟 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
北京安博达知识产权代理有限公司 1127 |
代 理 人： |
徐国文 |
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| 专利描述： |
| 本发明公开了一种新型的基于带有透明导电膜的玻璃衬底的宽光谱吸收范围的大面积a-Si:H/poly-Si叠层太阳能电池及制造方法，该电池采用a-Si:H和poly-Si不同带隙结构材料作为吸收层，组成glass/TCO/a-Si:H/poly-Si/AZO/Al叠层结构。增强对太阳光光谱的吸收，极大的提高了太阳能电池的光电转化效率，改善了太阳能电池的质量和性能。其中poly-Si的沉积采用新的气源SiCl4/H2，实现低温高速沉积，并使用单室大面积沉积技术，实现poly-Si和a-Si:H在同一个PECVD设备内连续成膜，解决了a-Si和poly-Si制备方法不兼容的问题。制造该电池的工艺技术加工耗能少，生产成本低，适合大规模工业化生产。 |
| 标签：宇光高科 太阳能电池 |
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