一种晶体硅太阳正面主栅电极 |
| 申请号/专利号： |
201220660346.0 |
申 请 日： |
2012-12-05 |
| 名 称： |
一种晶体硅太阳正面主栅电极 |
| 公开(公告)号： |
203013743U |
公开(公告)日： |
2013-06-19 |
| 主分类号： |
H01L31/0224(2006.01) |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
221621 江苏省徐州市沛县经济开发区昆明路1号 |
| 发明(设计)人： |
闵祥波 胡中 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
江苏圣典律师事务所 32237 |
代 理 人： |
贺翔 |
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| 专利描述： |
| 本实用新型涉及晶体硅太阳电池技术领域，特别涉及一种晶体硅太阳正面主栅电极，包括三条主栅线、以及与所述主栅线垂直的多条副栅线，所述主栅线等距且平行设置，所述主栅线包括镂空段、与所述镂空段相连的实心段；使用本实用新型时，由于其主栅线中包括镂空段，因此，可减小正电极覆盖在硅片上的面积，减小正电极与硅片的接触电阻，提高太阳能电池片的光电转换效率；而且，所述镂空段中的空心部分不再需要填充导电浆料，因此，节省了导电浆料，降低了太阳能电池片的制造成本。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。 |
| 标签：中宇光伏 晶体硅 太阳能电池片 |
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太阳能光伏：